制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类:射频(RF)双极晶体管
RoHS:是
晶体管类型:Bipolar Power
技术:Si
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极连续电流:2 A
配置:Single
安装风格:Through Hole
封装:Tray
工作频率:40 MHz to 860 MHz
类型:RF Bipolar Power
商标:Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散:5.3 W
产品类型:RF Bipolar Transistors
子类别:Transistors