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BLS6G3135-20 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS

BLS6G3135-20的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:2.1 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:580 mOhms

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :13 V

增益:15.5 dB

输出功率:20 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-608A

封装:Tray

最小工作温度:- 65 C

工作频率:3.1 GHz to 3.5 GHz

工厂包装数量:20

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

零件号别名:BLS6G3135-20,112

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BLS6G3135-20	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BLS6G3135-20,112	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BLS6G3135-20	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
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深圳市赛美科科技有限公司	BLS6G3135-20	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	BLS6G3135-20,112	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	BLS6G3135-20，112	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
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深圳市诚瑞达电子有限公司	BLS6G3135-20,112	华强C座17F	0755-83203215 13691930083	陈先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
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