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BLF6G27-10G / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
BLF6G27-10G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

商标:NXP Semiconductors

Id-连续漏极电流:3.5 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:1.256 Ohms

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vgs-栅源极击穿电压 :13 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:CDFM

封装:Tube

最小工作温度:- 65 C

工厂包装数量:60

类型:RF Power MOSFET

零件号别名:BLF6G27-10G,112

供应商BLF6G27-10G
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BLF6G27-10G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市惊羽科技有限公司BLF6G27-10G深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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BLF6G27-10G,112RF Mosfet LDMOS 28 V 130 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 19dB 2W CDFM2Ampleon USA Inc.Ampleon USA Inc.的LOGO1.18 Mbytes共15页BLF6G27-10G,112的PDF下载地址
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BLF6G27-10G,112NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品1+:¥280.17
10+:¥262
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BLF6G27-10G,118NXP SemiconductorsRF FET - 分立半导体产品100+:¥227.15991+:¥223.2901
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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