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BLF178XR112 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3-128MHz 110V 28dB
BLF178XR112的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

Id-连续漏极电流:40 mA

Vds-漏源极击穿电压:110 V

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs-栅源极击穿电压 :11 V

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-539A-5

封装:Tube

商标:NXP Semiconductors

工厂包装数量:60

供应商BLF178XR112
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