BLD6G21LS-50,112
/NXP Semiconductors/分立半导体产品
BLD6G21LS-50,112的规格信息
标准包装：20
类别：分立半导体产品
家庭：RF FET
系列：-
包装：管件
晶体管类型：LDMOS
频率：2.02GHz
增益：13.5dB
电压 - 测试：28V
额定电流：10.2A
噪声系数：-
电流 - 测试：170mA
功率 - 输出：8W
电压 - 额定：65V
封装/外壳：SOT-1130B
供应商器件封装：CDFM4
其它名称：568-8664-5934063509112BLD6G21LS-50,112-NDBLD6G21LS50112
BLD6G21LS-50,112
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| BLD6G21LS-50,112 | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B | Ampleon USA Inc. |  | 1.6 Mbytes | 共15页 |  | 无 |