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BH62UV8001AIG55 /
BH62UV8001AIG55的规格信息
BH62UV8001AIG55的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

存储器容量:8Mbit

内存配置:1M x 8

访问时间:55ns

电源电压范围:1.65V 到 3.6V

封装类型:BGA

针脚数:48

工作温度范围:-40°C 到 +85°C

SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)

器件标号:62

存储器容量:8Mbit

存储器类型:SRAM

存储器配置:1M x 8

封装类型:BGA

工作温度敏:-40°C

工作温度最高:85°C

接口类型:Asynchronous

电源电压 最大:3.6V

电源电压 最小:1.65V

表面安装器件:表面安装

供应商BH62UV8001AIG55
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深圳市芯幂科技有限公司BH62UV8001AIG55深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市芯立成贸易有限公司BH62UV8001AIG55深圳市南山区桃园街道珠光路珠光村50栋40118025356461
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胡双能Email:13828773769@163.COM询价
深圳市源美佳成电子有限公司BH62UV8001AIG55新华强Q2C0350755-83204865
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王小姐Email:2355858225@POWERGS.COM询价
深圳市联芯邦科技有限公司BH62UV8001AIG55深圳市龙华区上芬地铁口融创智汇大厦A座901-902室/深圳市福田区深纺大厦AB座2楼有谷电子市场B023室18898775818
18898775818,13612825669
廖先生,连敏妹Email:liaominggui@lxbchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司BH62UV8001AIG55航都大厦10I0755-23990975
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BH62UV8001AIG55Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit BSI[Brilliance Semiconductor]BSI[Brilliance Semiconductor]的LOGO148.28 Kbytes共9页BH62UV8001AIG55的PDF下载地址BH62UV1601,BH62UV4000,AS6C1008,AS6C2008,AS6C4008,IC62LV12816DL,AS6C6264,AS6C62256,P4C165,P4C1258
BH62UV8001AIG55Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit BSI[Brilliance Semiconductor]BSI[Brilliance Semiconductor]的LOGO221.25 Kbytes共9页BH62UV8001AIG55的PDF下载地址
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BH62UV8001AIG55Brilliance Semiconductor Inc*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** SRAM 8M(1MX8BIT)1.65-3.6V, BGA-48; Memory Size:8Mbit; SRAM Memory Configuration:1M x 8bit; Supply Voltage Min:1.65V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:BGA; No. of Pins:48; Access Time:55ns; Operating Temperature Min:-40°C; ;RoHS Compliant: Yes价格未公开