晶体管类型：2 NPN（双）

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益：19dB

功率 - 最大值：450mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 15mA，8V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：65mA

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

晶体管类型：NPN

最大直流集电极电流：65 mA

最大集电极-发射极电压：12 V

封装类型：SOT-363 (SC-88)

最大功率耗散：450 mW

最小直流电流增益：70

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：20 V

最大发射极-基极电压：2 V

最大工作频率：8 GHz

引脚数目：6

每片芯片元件数目：1

尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm

高度：0.8mm

最低工作温度：-65 °C

宽度：1.25mm

最高工作温度：+150 °C

长度：2mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs