BFP196E6327HTSA1
/Infineon BFP196E6327HTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7.5 GHz, 4引脚 SOT-143封装
BFP196E6327HTSA1的规格信息
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):12V
频率 - 跃迁:7.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益:10.5dB ~ 16.5dB
功率 - 最大值:700mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,8V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT143
供应商器件封装:PG-SOT143-4
最大直流集电极电流:150 mA
最大集电极-发射极电压:12 V
封装类型:SOT-143
最大功率耗散:700 mW
最小直流电流增益:70
晶体管配置:单
最大集电极-基极电压:20 V
最大发射极-基极电压:2 V
最大工作频率:7.5 GHz
引脚数目:4
每片芯片元件数目:1
宽度:1.3mm
最低工作温度:-65 °C
最高工作温度:+150 °C
长度:2.9mm
尺寸:2.9 x 1.3 x 0.9mm
高度:0.9mm
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
BFP196E6327HTSA1
BFP196E6327HTSA1及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| BFP196E6327HTSA1 | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | Infineon Technologies |  | 546.30 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
BFP196E6327HTSA1的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | BFP196E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 1:¥2.9945 10:¥2.147 100:¥0.99101 1,000:¥0.76049 3,000:¥0.64523
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