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BFG325W/XR,115 /NXP BFG325W/XR,115 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:60, 14000 MHz, 4引脚 CMPAK封装
BFG325W/XR,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):6V

频率 - 跃迁:14GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 2GHz

增益:18.3dB

功率 - 最大值:210mW

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,3V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-82A,SOT-343

供应商器件封装:CMPAK-4

最大直流集电极电流:35 mA

最大集电极-发射极电压:6 V

封装类型:CMPAK

最大功率耗散:210 mW

最小直流电流增益:60

晶体管配置:

最大集电极-基极电压:15 V

最大发射极-基极电压:2 V

最大工作频率:14000 MHz

引脚数目:4

每片芯片元件数目:1

长度:2.2mm

最高工作温度:+175 °C

高度:1mm

宽度:1.35mm

尺寸:1 x 2.2 x 1.35mm

最低工作温度:-65 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BFG325W/XR,115
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BFG325W/XR,115RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO173.34 Kbytes共13页BFG325W/XR,115的PDF下载地址
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BFG325W/XR,115NXP SemiconductorsRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS50+:¥0.71+:¥0.98
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