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BF2040 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
BF2040的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:40 mA

Vds-漏源极击穿电压:8 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :7 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-143-4

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.042 S

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:200 mW

类型:RF Small Signal MOSFET

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BF2040WTY N-Channel MOSFET Tetrode TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO331.4 Kbytes共3页BF2040W的PDF下载地址
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BF2040WSilicon N-Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO262.02 Kbytes共6页BF2040W的PDF下载地址BF998,BF1005,BF1009,BF1005,BF1005S,BF1005S,BF1009S,BF1009S,BF998R,BF5030W
BF2040WSilicon N-Channel MOSFET Tetrode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO210.14 Kbytes共11页BF2040W的PDF下载地址
BF2040WE6814HTSA1MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO204.54 Kbytes共11页BF2040WE6814HTSA1的PDF下载地址
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BF2040的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
BF2040E6814Infineon TechnologiesRF N-CHANNEL MOSFET$0.07000
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Digi-Key 得捷电子
BF2040E6814HTSAInfineon TechnologiesRF N-CHANNEL MOSFET$0.07000
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Digi-Key 得捷电子
BF2040E6814HTSA1Infineon TechnologiesRF MOSFET N-CH 5V SOT143-4$0.52000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
BF2040RE6814HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143RObsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
BF2040WH6814XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 40MA SOT343Obsolete
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Mouser 贸泽电子
BF2040E6814HTSA1Infineon Technologies射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
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BF2040Infineon Technologies AG UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET1,213 : $0.143
219 : $0.165
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立创商城
BF2040WH6814Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):40mA 漏源电压(Vdss):8V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道5+:¥0.54185
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