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BDX34BG /达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP
BDX34BG的规格信息
BDX34BG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

最大直流电集电极电流:10 A

最大集电极截止电流:1000 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BDX34B

封装:Tube

直流电流增益 hFE 最大值:750 at 3 A at 3 V

高度:15.75 mm

长度:10.53 mm

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

单位重量:6 g

供应商BDX34BG
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深圳市坤融电子有限公司BDX34BG航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城BDX34BG深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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BDX34BG的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		BDX34BGON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP1+:￥5.68
10+:￥4.41
100+:￥2.8401
1000+:￥2.64
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Digi-Key 得捷电子		BDX34BGON SemiconductorTRANS PNP DARL 80V 10A TO-220AB$0.93000
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		BDX34BGON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP1+:￥5.68
10+:￥4.41
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100000+:￥2.241+:￥3.061+:￥2.31
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BDX34BGON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP1+:￥5.68
10+:￥4.41
100+:￥2.8401
1000+:￥2.64
2500+:￥2.43
10000+:￥2.4
25000+:￥2.31
50000+:￥2.3
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BDX34BGON Semiconductor达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP1:¥6.8365
10:¥5.6839
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1,000:¥2.938
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Rochester		BDX34BGON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP1+:￥5.68
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750+:￥2.151+:￥2.431+:￥2.7
25+:￥2.6701
50+:￥2.6501
100+:￥2.62
300+:￥2.57
500+:￥2.55
1000+:￥2.5199
5000+:￥2.51
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立创商城		BDX34BGON(安森美)预售新品1+:￥5.61
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500+:￥2.1
1000+:￥2.06
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