晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：500mV @ 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：85 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：5W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT223

供应商器件封装：PG-SOT223-4

最大直流集电极电流：3 A

最大集电极-发射极电压：100 V

封装类型：SOT-223

最大功率耗散：5 W

最小直流电流增益：15

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：120 V

最大发射极-基极电压：5 V

最大工作频率：100 MHz

引脚数目：3 + Tab

每片芯片元件数目：1

最大基极-发射极饱和电压：1.3 V

最高工作温度：+150 °C

高度：1.6mm

尺寸：6.5 x 3.5 x 1.6mm

最大集电极-发射极饱和电压：0.5 V

宽度：3.5mm

长度：6.5mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs