制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.1 V

最大直流电集电极电流:10 A

增益带宽产品fT:1.5 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD810

高度:15.75 mm

长度:10.53 mm

封装:Tube

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:30

Pd-功率耗散:90 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

单位重量:6 g