图像仅供参考，请参阅规格书
驱动配置：低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10 V ~ 25 V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：600mA，600mA
输入类型：非反相
工作温度：-25°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：16-SSOPB
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs