制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-225-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V

集电极—基极电压 VCBO:32 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:500 mV

最大直流电集电极电流:4 A

增益带宽产品fT:3 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD435

高度:11.04 mm (Max)

长度:7.74 mm (Max)

封装:Bulk

宽度:2.66 mm (Max)

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

Pd-功率耗散:36000 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors

单位重量:2 g