制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-18

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V

集电极—基极电压 VCBO:32 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:0.7 V

最大直流电集电极电流:200 mA

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:60 At 100 mA, 1 V

Pd-功率耗散:340 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:BCY58-X PBFREE