晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：45V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：2W

频率 - 跃迁：100MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT89

供应商器件封装：PG-SOT89

最大直流集电极电流：1 A

最大集电极-发射极电压：45 V

封装类型：SOT-89

最大功率耗散：2 W

最小直流电流增益：25

晶体管配置：单

最大发射极-基极电压：5 V

引脚数目：3

每片芯片元件数目：1

最高工作温度：+150 °C

长度：4.5mm

宽度：2.5mm

高度：1.5mm

晶体管材料：Si

尺寸：4.5 x 2.5 x 1.5mm

最大集电极-发射极饱和电压：0.5 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs