晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：32V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：550mV @ 1.25mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：330mW

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT23

供应商器件封装：PG-SOT23-3

最大直流集电极电流：100 mA

最大集电极-发射极电压：32 V

封装类型：SOT-23

最大功率耗散：330 mW

最小直流电流增益：20

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：-32 V

最大发射极-基极电压：-5 V

最大工作频率：250 MHz

引脚数目：3

每片芯片元件数目：1

最大基极-发射极饱和电压：1.05 V

最高工作温度：+150 °C

高度：0.9mm

尺寸：2.9 x 1.3 x 0.9mm

最大集电极-发射极饱和电压：0.55 V

宽度：1.3mm

长度：2.9mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs