晶体管类型：PNP - 预偏压

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 50mA，5V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率-跃迁：150MHz

Power-Max：330mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT23

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：PNP

集电极最大允许电流Ic：500mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：50V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：4.7 kOhms

功率 - 最大值：330mW

供应商器件封装：PG-SOT23-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs