电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：125 @ 2mA，5V

功率-最大值：150mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装形式Package：SOT-523

极性Polarity：PNP

集电极最大允许电流Ic：0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：45V

Pd-功率耗散：150mW

发射极 - 基极电压 VEBO：5V

增益带宽产品fT：100MHz

安装风格：SMD/SMT

宽度：0.8mm

封装/外壳：SOT-523-3

晶体管极性：PNP

最大工作温度：+150C

最大直流电集电极电流：0.1A

最小工作温度：-55C

直流集电极/Base Gain hfe Min：125

系列：BC857A

配置：Single

长度：1.6mm

集电极—发射极最大电压 VCEO：45V

集电极—基极电压 VCBO：50V

高度：0.75mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs