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BC856B/DG/B4R /TRANSISTOR GEN PURP
BC856B/DG/B4R的规格信息
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包装标准卷带

系列-

零件状态有源

晶体管类型PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)65V

不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)650mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)

不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)125 @ 2mA,5V

功率 - 最大值250mW

频率 - 跃迁100MHz

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装TO-236AB

供应商BC856B/DG/B4R
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