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BC108B /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mW
BC108B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-18

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.25 V

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

系列:BC107

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 10 uA, 5 V

Pd-功率耗散:600 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:BC108B PBFREE

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