AT10N65S
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156(Tc) 类型：N沟道
AT10N65S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）156(Tc)
类型N沟道
AT10N65S
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| AT10N65S | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156(Tc) 类型：N沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 1.71 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
AT10N65S的全球分销商及价格
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立创商城 | AT10N65S | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.334
10+:￥1.752
30+:￥1.644
100+:￥1.536
500+:￥1.488
1000+:￥1.464
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