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AS6C8016-55ZIN /静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器
AS6C8016-55ZIN的规格信息
AS6C8016-55ZIN的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Alliance Memory

产品种类:静态随机存取存储器

RoHS:

存储容量:8 Mbit

组织:512 k x 16

访问时间:55 ns

接口类型:Parallel

电源电压-最大:5.5 V

电源电压-最小:2.7 V

电源电流—最大值:60 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP II-44

封装:Tray

存储类型:SDR

系列:AS6C8016

类型:Asynchronous

商标:Alliance Memory

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:135

子类别:Memory & Data Storage

单位重量:2.188 g

供应商AS6C8016-55ZIN
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AS6C8016-55ZINALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC) 半导体 静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1+:¥48.1301
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AS6C8016-55ZINALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC) 半导体 静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1+:¥48.1301
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AS6C8016-55ZINAlliance Memory, Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II$7.64000
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AS6C8016-55ZINTRALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC)1000+:¥35
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AS6C8016-55ZINALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC) 半导体 静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1+:¥48.1301
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AS6C8016-55ZINALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC) 半导体 静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1+:¥48.1301
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AS6C8016-55ZINAlliance Memory静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1:¥55.709
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AS6C8016-55ZINTRAlliance Memory静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器1,000:¥40.567
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AS6C8016-55ZINTRALLIANCE MEMORY INC存储器 - 集成电路 (IC)1000+:¥351000+:¥38.2601
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AS6C8016-55ZINAlliance Memory预售芯片1+:¥48.7
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AS6C8016-55ZINTRAlliance Memory预售芯片1+:¥65.89
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