电压 - 输出（最小值/固定）：1.25V（5V）
电流 - 输出：600mA
频率 - 开关：200kHz
同步整流器：无
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
输出配置：正
输出类型：可调（固定）
输出数：1
电压 - 输入（最小值）：4.5V
拓扑：降压
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1125pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：20V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 12A，10V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs