AS0130KA
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W 类型:N沟道
AS0130KA的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)85W
类型N沟道
AS0130KA
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AS0130KA | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W 类型:N沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 1.81 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
AS0130KA的全球分销商及价格
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 立创商城 | AS0130KA | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W 类型:N沟道 | 1+:¥1.524 10+:¥1.14 30+:¥1.074 100+:¥1.002 500+:¥0.972 1000+:¥0.954
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