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ARF1510 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
ARF1510的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:8 A

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

增益:17 dB

输出功率:750 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Box

工作频率:40 MHz

工作温度范围:- 55 C to + 175 C

类型:RF Power MOSFET

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:3 mS

下降时间:10 ns

Pd-功率耗散:1.5 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

上升时间:5 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

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ARF1510MICRO-SEMI1+:¥1482.691+:¥1477.9
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ARF1510Microsemi CorporationRF MOSFET (VDMOS) - Bulk99 : $179.5361
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ARF1510Microsemi CorporationMOSFET RF N-CH 1000V 8A T11 : $203.00999
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5+:¥2000.5201
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