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APTGF50DA120CT1G / Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 10-Pin Case SP1
APTGF50DA120CT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:10Case SP1

配置:Single

引脚数:10

最大集电极发射极电压:1200 V

最大连续集电极电流:75 A

最大栅极发射极电压:±20 V

安装:Screw

标准包装:Bulk

输入电容(Cies ) @ Vce时:3.45nF @ 25V

电流 - 集电极( Ic)(最大):75A

IGBT类型:NPT

安装类型:Chassis Mount

电流 - 集电极截止(最大):250µA

Vce(开) (最大值) Vge,Ic时:3.7V @ 15V, 50A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V

供应商设备封装:SP1

功率 - 最大:312W

封装/外壳:SP1

输入:Standard

NTC热敏电阻:Yes

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

供应商APTGF50DA120CT1G
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APTGF50DA120CT1GBoost chopper NPT IGBT SiC Chopper diode MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO256.88 Kbytes共7页APTGF50DA120CT1G的PDF下载地址
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APTGF50DA120CT1GMicrosemi CorporationPOWER MODULE - SIC - Bulk50 : $46.1364
99 : $45.2984
499 : $43.7395
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APTGF50DA120CT1GMicrosemi CorporationSILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES10 : $61.56
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