制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 W

通道模式:Enhancement

商标名:POWER MOS 8

封装:Tube

高度:5.31 mm

长度:21.46 mm

宽度:16.26 mm

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:19 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:31 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:105 ns

典型接通延迟时间:29 ns

单位重量:38 g