标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：POWER MOS 7®

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：45A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：45A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值：195W

开关能量：410µJ（开），950µJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：90nC

25°C 时 Td（开/关）值：10ns/150ns

测试条件：800V，15A，4.3 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-220-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220 [K]