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APT150GN60B2G /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT150GN60B2G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：APT150GN60B2G

标准包装：10

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 单路

系列：-

包装：管件

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：220A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：450A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：1.85V @ 15V，150A

功率 - 最大值：536W

开关能量：8.81mJ（开）， 4.295mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：970nC

25°C 时 Td（开/关）值：44ns/430ns

测试条件：400V，150A，1 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：-

封装/外壳：TO-247-3 变式

安装类型：通孔

供应商器件封装：*

供应商APT150GN60B2G
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深圳市毅创腾电子科技有限公司APT150GN60B2G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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上海三崧电子有限公司APT150GN60B2G上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市宸远科技有限公司APT150GN60B2G深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市瑞浩芯科技有限公司APT150GN60B2G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市维基鸿电子有限公司APT150GN60B2G赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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APT150GN60B2GPower Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO9860.83 Kbytes共44页APT150GN60B2G的PDF下载地址无
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		APT150GN60B2GMICRO-SEMI1+:￥148.19
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		APT150GN60B2GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:￥148.19
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Digi-Key 得捷电子		APT150GN60B2GMicrosemi CorporationIGBT 600V 220A 536W SOT227500 : $13.37016
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Mouser 贸泽电子		APT150GN60B2GMicrosemiIGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single1:¥152.8325
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元器件资料网-NexGen Digital的LOGO
NexGen Digital		APT150GN60B2GMicrosemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single T-MAX [B2]
RoHS : Compliant		$10.396
APT150GN60B2G的相关型号
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