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APM4500AKC-TRG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A,4.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 8A,4.5V;90mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
APM4500AKC-TRG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A,4.3A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻26mΩ @ 8A,4.5V;90mΩ @ 4.3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道和P沟道

供应商APM4500AKC-TRG
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APM4500AKC-TRGANPEC(茂达电子)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A,4.3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 8A,4.5V;90mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.7351
10+:¥1.3102
30+:¥1.2322
100+:¥1.1542
500+:¥1.1195
1000+:¥1.1024