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AP9T18GH-HF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 18A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W 类型:N沟道
AP9T18GH-HF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)38A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻14mΩ @ 18A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)31.3W

类型N沟道

供应商AP9T18GH-HF
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AP9T18GH-HFAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 18A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W 类型:N沟道1+:¥0.82374
10+:¥0.6138
30+:¥0.57528
100+:¥0.5367
500+:¥0.51954
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