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AP9435GM /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
AP9435GM的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商AP9435GM
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AP9435GMAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道5+:¥0.618724
50+:¥0.469619
150+:¥0.442232
500+:¥0.414845
2500+:¥0.402673
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AP9435GMVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.538139
50+:¥0.397646
150+:¥0.371841
500+:¥0.346037
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