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AP8600S /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道

AP8600S的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）80V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻5mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）104W(Tc)

类型N沟道

AP8600S

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AP8600S及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
AP8600S	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]		114.29 Kbytes	共6页		无

AP8600S的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	AP8600S	APEC(富鼎)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.84 10+:￥3.56 30+:￥3.32 100+:￥3.09 500+:￥2.98 1000+:￥2.93

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