AP8205A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏)
AP8205A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻26mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W
类型双N沟道(共漏)
AP8205A
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| AP8205A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏) | ALLPOWER(铨力) |  | 1.30 Mbytes | 共3页 |  | 无 |
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50+:￥0.322306
150+:￥0.303028
500+:￥0.28375
2500+:￥0.275182
5000+:￥0.270948
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