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AP2311GN /连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
AP2311GN的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.8A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 1.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型P沟道

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现代芯城(深圳)科技有限公司AP2311GN-HFwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市莱杰信科技有限公司AP2311GN深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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AP2311GNAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道5+:¥0.662046
50+:¥0.478153
150+:¥0.444376
500+:¥0.4106
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5000+:¥0.388171
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AP2311GNVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥0.9735
10+:¥0.7194
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