包装管件

系列AlphaSGT™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）33A (Ta), 140A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.2 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）60nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2870pF @ 30V

FET 功能-

功率耗散（最大值）6.2W (Ta), 125W (Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-262

封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA