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AON6324 /MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
AON6324的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）85A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2.1 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）28nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2719pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（最大值）83W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-DFN（5x6）

封装/外壳8-PowerVDFN

供应商AON6324
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AON6324连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道AOSAOS的LOGO615.49 Kbytes共10页AON6324的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		AON6324Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 85A 8DFNActive
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立创商城		AON6324AOS连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道1+:￥2.2
10+:￥1.63
30+:￥1.53
100+:￥1.42
500+:￥1.38
1000+:￥1.36
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