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AOD400 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.25W 类型:N沟道
AOD400的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)21.8A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻7mΩ @ 21.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.25W

类型N沟道

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AOD400VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.25W 类型:N沟道1+:¥1.0817
10+:¥0.7993
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