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AOD1N60 /二极管与整流器
AOD1N60的规格信息
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系列:AOD

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.3A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 25V

Vgs(最大值):±30V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9 欧姆 @ 650mA,10V

工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

封装形式Package:DPAK

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:600V

连续漏极电流ID:1.3A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AOD1N60
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AOD1N60ALPHA&OMEGAFET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥1.02
5000+:¥0.95
12500+:¥0.88
25000+:¥0.8399
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AOD1N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.2500+:¥1.02
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