FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs