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AM40P06-135P /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
AM40P06-135P的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻100mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型P沟道

供应商AM40P06-135P
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AM40P06-135PVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道1+:¥2.16
10+:¥1.59
30+:¥1.49
100+:¥1.38
500+:¥1.34
1000+:¥1.31