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AM29BL162CB-80RDPE1 / NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 1M x 16bit 80ns Die
AM29BL162CB-80RDPE1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

典型工作电源电压:3|3.3

标准包装名称:Die

最高工作温度:125

电池类型:NOR

最低工作温度:-55

每字位数:16

最大随机存取时间:80

位置引导块:Bottom

最大工作电源电压:3.6

定时类型:Asynchronous|Synchronous

地址总线宽度:20

建筑:Sectored

筛选等级:Extended

供应商封装形式:Die

引导块:Yes

编程电压:3 to 3.6

密度:16M

最低工作电源电压:3

字数:1M

块组织:Asymmetrical

接口类型:Parallel

访问时间(最大):80 ns

地址总线:20 b

引导类型:Bottom

工作温度范围:-55C to 125C

包装类型:Die

编程/擦除电压(典型值):3 to 3.6 V

密度:16777216 Bit

字长:16 b

工作温度(最大):125C

工作温度(最小值):-55C

工作温度分类:Military

可编程:Yes

弧度硬化:No

工作电源电压(典型值):3/3.3 V

工作电源电压(最小值):3 V

工作电源电压(最大值):3.6 V

供应商AM29BL162CB-80RDPE1
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AM29BL162CB-80RDPE1及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
AM29BL162CB-80RDPE116 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Burst-Mode, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1 SPANSION[SPANSION]SPANSION[SPANSION]的LOGO298.49 Kbytes共19页AM29BL162CB-80RDPE1的PDF下载地址AM29BL802C_03,AM29LV800B_03,AM29F400B_03,AM29LV160B_05,AM29LV800B_05,AM29LV400B_03,AM29LV200B_06,AM29LV320D,AM29LV200B_03,AM29LV800D_06
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Chip1Stop
AM29BL162CB-80RDPE1Cypress Semiconductor/SpansionNOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 1M x 16 80ns 52-Pin Die1 : $33.099998
25 : $26.6
100 : $23.700001