FET 类型：4 P 沟道，配对

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：780mV @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2.5pF @ 5V

功率 - 最大值：500mW

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs