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ALD210800ASCL /MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
ALD210800ASCL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Linear Devices

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-16

通道数量:4 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:10 V

Id-连续漏极电流:70 mA

Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:10 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Quad

通道模式:Depletion

封装:Tube

系列:ALD210800A

晶体管类型:4 N-Channel

商标:Advanced Linear Devices

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:666 mg

供应商ALD210800ASCL
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ALD210800ASCLPRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR ALD[Advanced Linear Devices]ALD[Advanced Linear Devices]的LOGO112.92 Kbytes共12页ALD210800ASCL的PDF下载地址
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ALD210800ASCLAdvanced Linear Devices Inc.1+:¥28.04
10+:¥25.02
25+:¥22.51
100+:¥20.52
250+:¥18.51
500+:¥16.61
1000+:¥14.01
2500+:¥13.31
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ALD210800ASCLADVANCED LINEAR DEVICES INC.MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC250 : $2.53452
100 : $2.8085
25 : $3.0824
10 : $3.425
1 : $3.84
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ALD210800ASCLAdvanced Linear Devices Inc.MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC$7.75000
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ALD210800ASCLAdvanced Linear DevicesMOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY1:¥41.9569
10:¥40.2619
25:¥36.8832
50:¥35.1882
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ALD210800ASCLAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD®, Zero Threshold? 分立半导体产品 半导体 MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY1+:¥28.04
10+:¥25.02
25+:¥22.51
100+:¥20.52
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500+:¥16.61
1000+:¥14.01
2500+:¥13.311+:¥19.96
10+:¥18.55
50+:¥15.8999
100+:¥15.41
250+:¥14.74
500+:¥14.74
1000+:¥13.5399
2500+:¥13.4
5000+:¥12.95