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AGR19180EF /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
AGR19180EF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

技术:Si

封装:Tray

类型:RF Power MOSFET

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

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30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848