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AFV10700HSR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
AFV10700HSR5的规格信息
AFV10700HSR5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2.6 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V

增益:19.2 dB

输出功率:700 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780S-4

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:1030 MHz to 1090 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

通道数量:2 Channel

Pd-功率耗散:526 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

零件号别名:935346524178

单位重量:6.490 g

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