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AFIC10275NR1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V

AFIC10275NR1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1.6 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 100 V

增益:32.1 dB

输出功率:250 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270WB-14

封装:Reel

工作频率:978 MHz to 1090 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

通道数量:1 Channel

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

零件号别名:935312592528

单位重量:1.652 g

AFIC10275NR1

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AFIC10275NR1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
AFIC10275NR1	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V	NXP / Freescale	1015.17 Kbytes	共22页	无
AFIC10275NR1	IC RF AMP 978MHZ-1.09GHZ TO270	NXP USA Inc.	1013.19 Kbytes	共22页	无
AFIC10275NR1	NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER	NXP USA Inc.	1013.19 Kbytes	共22页	无

AFIC10275NR1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	AFIC10275NR1	NXP USA Inc.	NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER	$248.57000
Digi-Key 得捷电子	AFIC10275NR1	NXP USA Inc.	IC RF AMP 978MHZ-1.09GHZ TO270	$268.46000
Mouser 贸泽电子	AFIC10275NR1	NXP / Freescale	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V	500:¥2,127.3945

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