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AF4502CSLA / MOSFET
AF4502CSLA的规格信息
AF4502CSLA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:8.5 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:13.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

封装:Reel

商标:Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:20 ns, 46 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:9 ns, 16 ns

系列:AF4502

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:70 ns, 62 ns

典型接通延迟时间:20 ns, 15 ns

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AF4502CSLAP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET ANACHIP[Anachip Corp]ANACHIP[Anachip Corp]的LOGO235.41 Kbytes共8页AF4502CSLA的PDF下载地址SI4830DY,SUM110N03,SI4832DY,72893,SI7886DP,SUM110N03-03P,SI4330DY,SIF912EDZ,SI4348DY,SUM70N03-09CP
AF4502CSLAN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO2623.9 Kbytes共14页AF4502CSLA的PDF下载地址
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AF4502CSLAVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A,6.6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.6235
10+:¥1.1996
30+:¥1.1218
100+:¥1.044
500+:¥1.0094
1000+:¥0.9923